-
1 etch trench
-
2 etch trench
Электроника: вытравленная канавка -
3 etch trench
English-Russian dictionary of microelectronics > etch trench
-
4 trench
1. n ров, канава; борозда; котлованdredged trench — котлован, разработанный землечерпанием
2. n воен. окоп, траншеяparallel trench — траншея; продольный окоп
3. n впадина4. n каньон5. n котловина6. n шрам, порез, глубокая морщинаtrench plough — плуг для глубокой пахоты; плантажный плуг
7. n анат. полость8. n горн. шурф9. v рыть, копать10. v вскапывать11. v осушать при помощи канав, дренироватьtrap trench — ловчая яма, канава
12. v окружать траншеями или окопами13. v защищать траншеями или окопамиtrench system — сеть, система траншей
slit trench — окоп для укрытия, щель
14. v прорезать; прорубатьinscriptions trenched in the stone — надписи, вырезанные на камне
15. v посягать; вторгатьсяtrench up — посягать; посягнуть
16. v граничить, быть на граниСинонимический ряд:1. ditch (noun) canal; channel; cut; ditch; furrow; gully; gutter; hollow; moat2. fortification (noun) bulwark; defense; dike; fort; fortification; palisade; stockade3. border (verb) approach; border; verge -
5 trench etch
Микроэлектроника: вытравливание канавок -
6 trench-etch technique
Микроэлектроника: метод вытравливания канавок -
7 recessed trench
English-Russian big polytechnic dictionary > recessed trench
-
8 draining trench
English-Russian big polytechnic dictionary > draining trench
См. также в других словарях:
etch trench — ėsdintasis griovelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. etch groove; etch moat; etch trench vok. Ätzgraben, m rus. вытравленная канавка, f pranc. rainure décapée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
etch groove — ėsdintasis griovelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. etch groove; etch moat; etch trench vok. Ätzgraben, m rus. вытравленная канавка, f pranc. rainure décapée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
etch moat — ėsdintasis griovelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. etch groove; etch moat; etch trench vok. Ätzgraben, m rus. вытравленная канавка, f pranc. rainure décapée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Shallow trench isolation — (STI), also known as Box Isolation Technique , is an integrated circuit feature which prevents electrical current leakage between adjacent semiconductor device components. STI is generally used on CMOS process technology nodes of 250 nanometers… … Wikipedia
rainure décapée — ėsdintasis griovelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. etch groove; etch moat; etch trench vok. Ätzgraben, m rus. вытравленная канавка, f pranc. rainure décapée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Ätzgraben — ėsdintasis griovelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. etch groove; etch moat; etch trench vok. Ätzgraben, m rus. вытравленная канавка, f pranc. rainure décapée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ėsdintasis griovelis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. etch groove; etch moat; etch trench vok. Ätzgraben, m rus. вытравленная канавка, f pranc. rainure décapée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
вытравленная канавка — ėsdintasis griovelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. etch groove; etch moat; etch trench vok. Ätzgraben, m rus. вытравленная канавка, f pranc. rainure décapée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Etching (microfabrication) — Etching tanks used to perform Piranha, Hydrofluoric acid or RCA clean on 4 inch wafer batches at LAAS technological facility in Toulouse, France Etching is used in microfabrication to chemically remove layers from the surface of a wafer during… … Wikipedia
Multiple patterning — is a class of technologies developed for photolithography to enhance the feature density. The simplest case of multiple patterning is double patterning, where a conventional lithography process is enhanced to produce double the expected number of … Wikipedia
Deep reactive-ion etching — (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep sided holes and trenches in wafers, with aspect ratios of 20:1 or more. It was developed for microelectromechanical systems (MEMS), which require these features,… … Wikipedia
